英飞凌OptiMOS™7系列震撼登场

英飞凌正式推出全新OptiMOS™7系列功率MOSFET，以“应用导向”创新思维重构产品设计逻辑，针对不同场景需求量身定制解决方案，不仅树立功率MOSFET技术新标杆，更将推动各行业功率转换系统迈入能效与性能双升级的新阶段。

面向云端算力核心需求，OptiMOS™7开关优化型功率MOSFET专为未来数据中心、服务器及电信设备打造，为高负载电源管理注入“冷静基因”。该款产品针对硬开关与软开关拓扑进行专项优化，搭配Source Down封装设计显著强化散热能力，品质因数FOM提升高达25%，能有效降低电源损耗，保障设备在高算力运转下的稳定与高效，为人工智能、数据通信等高端应用的核心供电提供可靠支撑。

聚焦电机驱动场景，OptiMOS™7电机驱动优化型功率MOSFET成为电动工具、园艺设备等产品的高效功率转换终极方案，让每一度电都精准转化为动能。其安全工作区SOA提升高达3倍，跨导性能改善高达70%，同时具备更强抗噪能力，能适配复杂工况下的高频次、高负载运行需求，大幅提升电机驱动系统的可靠性与能效表现。

针对BMS、12V开关电源等慢速开关应用，OptiMOS™7低导通损耗优化型功率MOSFET凭借低阻设计凸显核心优势。相较于上一代OptiMOS™6系列，其导通损耗再降高达40%，且专为导通性能深度优化，具备高脉冲电流能力，能精准匹配慢速开关场景的低功耗需求，为相关设备的续航与稳定运行保驾护航。

值得一提的是，OptiMOS™7系列带来“封装全家桶”一站式解决方案，涵盖SuperSO8、SuperSO8双面散热、PQFN 3.3×3.3全系列及PQFN 2×2等多种封装类型，全面适配不同终端产品的布局与散热需求。其中，OptiMOS™7 25V开关优化功率MOSFET跳脱传统通用型设计局限，重点面向中间总线转换器（IBC）等48V电压转换场景，可精准支持AI核心供电，同时广泛适用于电信设备和传统服务器的开关模式电源（SMPS）应用。

该25V产品组合分为硬开关拓扑和软开关拓扑两大技术类别，前者具备出色的米勒比、FOM和RDS（ON）10性能，后者拥有超低RDS（ON）45和FOMQg表现，相较于OptiMOS™5 25V系列，其RDS（ON）最多降低20%，FOM最多提升25%。封装上采用源极向下PQFN 3.3x3.3设计，提供底部散热和双面散热两种版本，额定温度可达175°C，中心栅极布局更能实现灵活优化的PCB布局，进一步降低系统设计难度。

免责声明：
文章内容转自互联网，不代表本站赞同其观点；
如涉及内容、图片、版权等问题，请联系2644303206@qq.com我们将在第一时间删除内容！